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產(chǎn)品詳情

EM12-PV是采用量拓的測量技術(shù)，針對中端精度需求的光伏太陽能電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。

EM12-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。

EM12-PV融合多項量拓科技技術(shù)，采用一體化樣品臺技術(shù)，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡單安全。

特點：

粗糙絨面納米薄膜的測量

光能量增強技術(shù)、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法，實現(xiàn)了對粗糙表面散射為主和反射率為特征的絨面太陽電池表面納米鍍層的檢測。

次納米量的高靈敏度和準確度

采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了高準確度和穩(wěn)定性，測量絨面減反膜的厚度精度優(yōu)于0.2nm。

1.6秒的快速測量

水準的儀器設(shè)計，在保證精度和準確度的同時，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量，可滿足快速多點檢測和批量檢測需求。

簡單方便安全的儀器操作

一鍵式操作設(shè)計，用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導出，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。

應(yīng)用：

EM12-PV適合于光伏領(lǐng)域中端精度要求的工藝研發(fā)和現(xiàn)場的質(zhì)量控制。

EM12-PV可用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，應(yīng)用領(lǐng)域包括晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。

EM12-PV也可用于測量光滑平面基底上的單層或雙層納米薄膜，包括膜層的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。也可用于測量塊狀材料（包括，液體、金屬、半導體、介質(zhì)等）在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導體、微電子、平板顯示等。

技術(shù)指標：

項目	技術(shù)指標
儀器型號	EM12-PV
激光波長	632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性（^1）	0.2nm (對于平面Si基底上99nm的SiO2膜層)
膜厚測量重復性（^1）	0.2nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)
折射率精度（^1）	2x10-3(對于平面Si基底上99nm的SiO2膜層)
折射率精度（^1）	2x10-3(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)
單次測量時間	與測量設(shè)置相關(guān)，典型1.6s
光學結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度）
激光光束直徑	1-2mm
入射角度	40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進5°
樣品方位調(diào)整	一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品
	可測量156*156mm電池樣品上每個點
	Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm
	二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
	樣品對準：光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸	平面樣品直徑可達Φ170mm
樣品臺尺寸	兼容125125mm和156156mm的太陽能電池樣品
大的膜層厚度范圍	粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān)
大的膜層厚度范圍	光滑平面樣品：透明薄膜可達4um，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān)
大外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量（凈重）	25Kg
選配件	水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺
選配件	真空吸附泵
軟件	ETEM軟件：
	中英文界面可選太陽能電池樣品預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持