ETSys-Map是針對高端納米薄膜研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中大面積樣品檢測專門設(shè)計的在線薄膜測量系統(tǒng)。

ETSys-Map用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積樣品進行在線檢測。可測量光滑平面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?？蓽y量樣品上區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。

特點:

微米量的全面積掃描精度

系統(tǒng)設(shè)計，能夠使探頭到達樣品上每個點，掃描精度達到微米量。

原子層量的膜厚分析精度

采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù)，對納米薄膜達到測量準(zhǔn)確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。

簡單方便安全的儀器操作

用戶只需一個按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設(shè)置。

大面積樣品上全表面測量

可對1.4m*1.1m及以上的大面積薄膜樣品各點的性質(zhì)進行分析和比較。

應(yīng)用:

ETSys-Map適合于高精度要求的大面積納米薄膜研發(fā)和質(zhì)量控制。

ETSys-Map可用于測量大面積的納米薄膜樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；同時用于塊狀材料

ETSys-Map可應(yīng)用于：

大面積液晶顯示屏上的鍍層測量

大面積半導(dǎo)體芯片的薄膜測量

大面積低輻射玻璃（LOW-E）的鍍膜（ZnO,SnO2,TiO2,Ag）測量

大面積金屬上納米薄膜測量

大面積的光學(xué)薄膜（TiO2，SiO2等）測量

技術(shù)指標(biāo) :

項目	技術(shù)指標(biāo)
系統(tǒng)型號	ETSys-Map
結(jié)構(gòu)類型	在線式
激光波長	632.8nm (He-Ne laser)
膜厚測量重復(fù)性（1）	0.05nm (對于Si基底上99nm的SiO2膜層)
折射率n測量重復(fù)性（1）	5x10-4(對于Si基底上99nm的SiO2膜層)
結(jié)構(gòu)	PSCA
激光光束直徑	~1 mm
入射角度	65°-75°可選
樣品放置	放置方式：水平 運動：X軸單方向運動 運動范圍：>1.4m 三維平移調(diào)節(jié) 二維俯仰調(diào)節(jié) 可對樣品進行掃描測量
樣品臺尺寸	1.4m*1.1m，并可定制。
測量速度	典型0.6s-4s /點（取決于樣品種類及測量設(shè)置）
大的膜層厚度測量范圍	粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) 光滑平面樣品：透明薄膜可達4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān)
選配件	樣品監(jiān)視系統(tǒng) 自動樣品上片系統(tǒng)

注：（1）測量重復(fù)性：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標(biāo)準(zhǔn)差。

性能保證:

高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù)，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度

穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準(zhǔn)，結(jié)合采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量

一體化集成式的結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高

一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用

可選配件：

NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片

NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片